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如今，中國(guó)正在各個(gè)半導(dǎo)體領(lǐng)域切入自己的力量，破除國(guó)外壟斷，包括CPU微處理器、NAND閃存、OLED屏幕面板等等，DRAM內(nèi)存也是時(shí)候了。

中國(guó)芯片設(shè)計(jì)公司近日發(fā)布公告，宣布與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股(集團(tuán))有限公司(簡(jiǎn)稱合肥產(chǎn)投)于10月26日簽署了《關(guān)于存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目之合作協(xié)議》。

雙方約定，將在安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)合作開(kāi)展300mm晶圓(12英寸)、19nm工藝存儲(chǔ)器的研發(fā)項(xiàng)目，包括DRAM內(nèi)存顆粒。

項(xiàng)目總預(yù)算約為180億元人民幣，雙方產(chǎn)投按照1:4的比例負(fù)責(zé)籌集。

合作目標(biāo)是在2018年12月31日前研發(fā)成功，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品良率(測(cè)試電性良好的晶片占整個(gè)晶圓的比例)不低于10％。

不過(guò)芯片設(shè)計(jì)方強(qiáng)調(diào)，本項(xiàng)目研發(fā)階段設(shè)計(jì)產(chǎn)能較小，為2000-3000片晶圓每月，尚無(wú)法達(dá)到批量生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，而且中國(guó)大陸目前無(wú)DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)積累，再加上人才引進(jìn)、知識(shí)產(chǎn)權(quán)和設(shè)備進(jìn)口等因素影響，研發(fā)能否成功存在不確定性。

即使研發(fā)成功，良率能否提升、量產(chǎn)能否實(shí)現(xiàn)，也仍然存在較大不確定性，從研發(fā)成功至量產(chǎn)并形成銷售需要長(zhǎng)達(dá)幾年時(shí)間。

研發(fā)成功后，雙方將就提升良率、擴(kuò)大產(chǎn)能進(jìn)行進(jìn)一步探討。

目前，三星DRAM已大規(guī)模采用20nm工藝，并率先量產(chǎn)18nm工藝。SK海力士則以25nm工藝為主，已導(dǎo)入21nm工藝。美光目前以30nm工藝為主，20nm工藝進(jìn)入良率提升階段。